，實(shí)現(xiàn)數(shù)字化控制，能傳輸和儲(chǔ)存能量監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)
，便于實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化管理
。
超高頻淬火設(shè)備一般以電子管為主
，MOSFET也有一定發(fā)展，目前國內(nèi)有以IGBT做的
。電子管高頻設(shè)備的環(huán)境污染已經(jīng)眾所周知
，但是其取代者M(jìn)OSFET故障率較高，引用范圍收到限制
。IGBT相對(duì)穩(wěn)定
，是現(xiàn)在普遍應(yīng)用于高頻、中頻領(lǐng)域的核心
。
